СВНР 541 HSQ-статья_v2 (2)

Электронный резист СВНР-541  импортный аналог ( HSQ XR-1541 )

Электронный резист на основе силсесквиоксана водорода

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Минимальный размер элемента 6 нм
Коэффициент преломления 1,41
Концентрация примесей металлов < 10 ppb
Толщина нанесения – 2% 30 — 60 нм
Толщина нанесения – 4% 55 — 115 нм
Толщина нанесения – 6% 85 — 180 нм

ТЕХНОЛОГИЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ:

Глубина проникновения электронного пучка 35 – 175нм
Энергия электронного пучка 100 – 200 кэВ
Энергия электронного пучка 400 – 700 мкКл/см2
Температурный отжиг (рекомендуется) 350˚C в атмосфере N2, для увеличения контраста

Упаковка, хранение и транспортировка:

Электронный резист СВНР-541 поставляется в бутылках 8 и 30 мл. Хранить при температуре +5˚С. Срок годности 3 месяца.

Проявитель — ТМАГ 25%

Стопер — Деионизированная вода

Промывка — ИПС

**СВНР-541**

представляет собой электронно-лучевой резист негативного типа с высоким разрешением и отличной стойкостью к сухому травлению.

Характеристики:

• Тон: Негативный

• Высокое разрешение

• Стойкость к сухому травлению сравнима с большинством позитивных фоторезистов

• Не чувствителен к белому свету

Резист СВНР-541
Хранение: при температуре 8-12 ºC

Подготовка поверхности
Как правило, кроме стандартной очистки, специальной подготовки поверхности не требуется. Обладает отличной адгезией к большинству поверхностей.

Процесс нанесения и обработки:

1. Нанесение центрифугированием (Spin Speed): 1000-5000 об/мин, 60 сек. (толщина слоя 20-300 нм) в зависимости от концентрации от 2-10%

2. Предварительный отжиг (Pre-bake): на горячей плите при 80°C, 4 мин.

3. Экспонирование (Expose): доза около 2000 мкКл/см² при 100 кВ.

4. Проявление (Develop): TMAH 25% в воде (H₂O), 4 мин.

5. Промывка (Rinse): Проточной деионизированной водой (DI water) 60 сек., затем изопропиловым спиртом (IPA) 10 сек.

6. Сушка (Dry): Струей сухого азота (N₂).

7. Послеэкспозиционный отжиг (Post-Bake): Для повышения стойкости к сухому травлению – на горячей плите при 350°C, 30 мин.

8. Удаление остатков (Descum): [Процедура не указана, обычно плазменная очистка или кратковременное травление]

9. Снятие резиста (Stripping): Буферным оксидным травителем (BOE), скорость удаления ~100 нм за несколько секунд.