Сравнение с позитивного негативного резиста
| Критерий | Позитивный электронный резист | Негативный электронный резист |
|---|---|---|
| Принцип действия | Разрыв цепей, уменьшение молекулярной массы в облучённых областях. | Сшивание цепей, увеличение молекулярной массы в облучённых областях. |
| Результат после проявления | Удаляется облучённая область. Рисунок = негатив траектории луча. | Удаляется необлучённая область. Рисунок = позитив траектории луча. |
| Типичное разрешение | Очень высокое (может достигать единиц нанометров). | Ниже, чем у позитивного (из-за эффекта набухания при проявлении), но современные составы могут давать высокое разрешение. |
| Ключевые преимущества | Высокое разрешение, простота контроля профиля, широко распространён. | Высокая химическая и плазменная стойкость, хорошая механическая прочность и адгезия. |
| Недостатки | Относительно низкая стойкость к агрессивным средам. | Эффект набухания геля при проявлении может ограничивать разрешение. |
| Типичные материалы | ЭФР-400 (полиметилметакрилат), PBS, ZEP. | На основе эпоксидов (например, SU-8), или СВНР-541 или резисты на ароматических полимерах (марочные: ma-N, AR-N). |
| Область применения | Фотошаблоны, высокоразрешающие структуры, лифт-офф. | Глубокое травление, изготовление постоянных полимерных структур, MEMS. |
Таким образом, если позитивные резисты выбирают для максимального разрешения, то негативные — для максимальной стойкости и прочности сформированного защитного рисунка.