KrF (Krypton Fluoride) литография — это метод глубокой ультрафиолетовой (DUV) фотолитографии с длиной волны 248 нм, который стал ключевым переходным этапом в эволюции производства полупроводников.
📝 Ключевые параметры
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Длина волны | 248 нм (глубокий ультрафиолет, DUV) |
| Источник света | Криптон-фторидный (KrF) эксимерный лазер |
| Тип резиста | Преимущественно химически усиленный позитивный фоторезист |
| Разрешение | Исторически: 150–280 нм. Современно: ~90–160 нм (линии/промежутки, контактные отверстия), в продвинутых системах — до 80 нм. |
| Ключевой процесс | Обязательный постэкспозиционный прогрев (PEB) для активации химического усиления. |
🎯 Назначение и применение
Метод был революционным, позволив в конце 1990-х — 2000-х годах перейти с микронных (i-line, 365 нм) на субмикронные и нанометровые техпроцессы. Сегодня KrF-литография остается востребованной для менее критичных слоев в современных чипах и для производства:
-
Микросхем памяти (DRAM, 3D NAND).
-
Аналоговых, силовых и силовых схем.
-
Слоев с толстыми резистами (до 10 мкм) для упаковки чипов и MEMS.
💡 Как это работает
Процесс типичен для проекционной фотолитографии: свет от KrF-лазера проходит через фотошаблон и проецируется на пластину, покрытую светочувствительным резистом. В современных установках используется сканирующая проекция (stepper/scanner). Особенность — химическое усиление: облучение генерирует кислоту, которая при последующем нагреве (PEB) катализирует реакцию, изменяющую растворимость резиста, что повышает чувствительность и разрешение.
Для выхода на пределы разрешения (~80 нм) используются оптические методы коррекции: фазовая маска (PSM) и внеосевое освещение (OAI)